由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构及其使用方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构及其使用方法

基本信息

申请号	CN202110961862.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113690203A	公开（公告）日	2021-11-23
申请公布号	CN113690203A	申请公布日	2021-11-23
分类号	H01L23/367（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;B08B5/02（2006.01）I;F16F15/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	陈利;陈彬	申请（专利权）人	厦门芯一代集成电路有限公司
代理机构	东莞市卓易专利代理事务所（普通合伙）	代理人	魏昕
地址	361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元
法律状态	-

摘要

本发明公开了由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构及使用方法，涉及电力电子器件技术领域，包括第一基板和第二基板，第一基板顶端的两侧均固定设有IGBT，两个IGBT的顶端均固定设有多个引针，多个引针分别通过多个引母与两个MOSFET连接，两个MOSFET分别固定设置在第二基板底端的两侧，两个IGBT的两侧均接触连接有导热板，四个导热板的底端均固定设有多个导热杆，多个导热杆均贯穿第一基板的顶端与两个第一导管顶端的两侧固定连接，本发明通过导热板和导热杆的使用，模块工作时产生的热量传递至第一导管，对第一导管内导热油进行加热，将模块产生的热量吸收转移至导热油内，对模块吸收散热，避免模块热量过高而造成损坏，提高模块使用寿命。