一种新型的槽栅型MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202120653161.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214279987U | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN214279987U | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利 | 申请（专利权）人 | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 厦门荔信航知专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 马小玲 |
| 地址 | 361000福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型的槽栅型MOS器件，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区在P型阱区之间，N型轻掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型轻掺杂区，P型阱区上有P型重掺杂源极区，在源极区做源极电极，栅极多晶硅区做栅极电极。该器件可以提高开关速度。 |
