具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110950001.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690199A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690199A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L23/60（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 深圳至诚化育知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘英 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，涉及半导体功率器件制备技术领域，具体为具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，包括保护机构、芯片体和主针脚，所述保护机构的内部设有基片，所述导热片的下端前方设有橡胶垫块，所述基片的后端内部设有沟槽。该具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，利用内衬保护膜可以保持保护机构与基片外部表面之间的贴合程度，而保护机构也可以根据使用者的需要进行拆卸操作，静电层和绝缘层可以对基片的外部表面进行静电防护作用，避免半导体在运输或安装过程中产生静电状况，减少半导体以及芯片受损的可能性，间接的提高了半导体功率器件的生产质量。 |
