一种可多次外延的超结功率MOSFET结构及使用方法
基本信息
| 申请号 | CN202110956734.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690196A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690196A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L23/16（2006.01）I;H01L23/24（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;A62C3/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市卓易专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏昕 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可多次外延的超结功率MOSFET结构及使用方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域，包括N型衬底和外壳，衬底置于外壳的内部，N型衬底的顶端固定连接有第一外延层，第一外延层的顶端固定连接有第二外延层，第一外延层的顶端开凿有两个沟槽，第二外延层的中部开凿有两个通槽；本发明通过设置N型衬底，其表面借助外延工艺形成第一外延层，在第一外延层的顶端进行刻蚀，形成两个沟槽，第二外延层表面的中部形成栅氧化层，在栅氧化层的表面形成多晶硅栅极，这样双层外延甚至可多层外延的设计，可大大提高MOSFET的击穿电压和性能，双层或多层之间有理想的电阻率匹配，能提高叠加的多个外延层的界面特性。 |
