一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110955619.8 申请日 -
公开(公告)号 CN113690191A 公开(公告)日 2021-11-23
申请公布号 CN113690191A 申请公布日 2021-11-23
分类号 H01L23/02(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;B08B17/04(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈利;陈彬 申请(专利权)人 厦门芯一代集成电路有限公司
代理机构 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 代理人 魏昕
地址 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及晶体管技术领域,且公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法,包括衬垫层,所述衬垫层的上表面设有P+层,所述P+层的上表面设有漏区,所述漏区的上表面两侧开设有漏注入区,所述漏注入区的顶部设有源区。该一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管及其制备方法,通过散热层的多层设置,能够充分吸收使用过过程中所产生的热量,通过散热片的设置,散热片能够有效的吸附第一铜层、陶瓷层和第二铜层所排出的热量,晶体管工作时,热量能够通过散热片被吸附出,从而有效的降低其温度,通过散热导管和延伸片的设置,进一步的提高了散热效果,使得晶体管工作时发热损耗降低,延长了使用寿命。