一种可控压摆率N型MOS高边驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202010433903.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111555737B | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 申请公布号 | CN111555737B | 申请公布日 | 2022-05-20 |
| 分类号 | H03K3/356（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 王飞;王云;郑鲲鲲;郝炳贤;任广辉;薛静;王桂磊;亨利·阿达姆松 | 申请（专利权）人 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 代理机构 | 北京久维律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 510535广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可控压摆率N型MOS高边驱动电路，属于驱动电路技术领域，用可控电流对开关的栅极充放电，在充放电完成时，强开或者强关栅极以防止栅极的电压扰动，所有MNx为与衬底隔离的NMOS器件，M0为需驱动的高边N型MOS开关，VHIGH为驱动的电源。最左侧MN0‑MN3提供了偏置电路，M1为源级跟随器结构，限制M0栅极的充电电压，实现高边驱动以及可控压摆率的功能。 |
