一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法
基本信息
| 申请号 | CN202210096839.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121677B | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114121677B | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贺鑫;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人 | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种FDSOI器件的沟道制作工艺优化方法，其可使沟道减薄，以满足栅极长度缩短、良好短沟道效应控制作用，同时可避免因沟道减薄而导致的源漏极电阻值增加、外延生长源漏极缺陷等问题出现，沟道制作工艺优化方法包括以下步骤：在晶圆上生长衬底，在衬底上依次制备隔离槽、沟道层、栅极层、源漏极区；对栅极层进行选择性刻蚀，使栅极层下方的沟道层暴露出来；选择性氧化暴露出的沟道层，获取第一沟道区氧化硅，第一沟道区氧化硅的厚度为第一预定厚度；刻蚀去除第一沟道区氧化硅，获取第二刻蚀槽；在第二刻蚀槽内氧化生长第二沟道区氧化硅，第二沟道区氧化硅的厚度为第二预定厚度。 |
