首页/ 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院/ 专利详情

金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法

基本信息

申请号 CN202210107875.6 申请日 -
公开（公告）号 CN114512396A 公开（公告）日 2022-05-17
申请公布号 CN114512396A 申请公布日 2022-05-17
分类号 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 许滨滨;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;许静;嵇彤;黎婉雯 申请（专利权）人 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 510535广东省广州市开发区开源大道136号A栋
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法，通过将位于PMOS区域伪栅沟槽以外以及PMOS区域伪栅沟槽内至少槽口处的P型金属功函数层去除掉，使得PMOS区域伪栅沟槽至少槽口处的宽度增大，且PMOS区域伪栅沟槽的顶部高度也减小，从而在很大程度上减小PMOS区域伪栅沟槽的深宽比，主要是减小PMOS区域伪栅沟槽槽口处的深宽比，进而在向PMOS区域的伪栅沟槽内填充金属作为金属栅电极层时，不易在PMOS区域的伪栅沟槽的顶部发生突悬而造成空洞，即改善了向PMOS区域伪栅沟槽内填充金属的填充效果，这将大大增加CMOS器件的可靠性，提高CMOS器件的良品率。