一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111114807.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113871512A | 公开（公告）日 | 2021-12-31 |
| 申请公布号 | CN113871512A | 申请公布日 | 2021-12-31 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任常瑞;张佳舟;高治坤;符黎明 | 申请（专利权）人 | 常州时创能源股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 213300江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法，包括在硼扩散之前制备掩膜；所述制备掩膜包括如下步骤：掩膜前驱体链式沉积、掩膜前驱体链式固化和掩膜激光开槽。本发明采用前驱体链式沉积固化成膜的方式，使前驱体在硅片表面快速交联成膜，获得具有较高致密度的掩膜。本发明前驱体沉积和固化采用链式制程，不需要复杂上下料过程，对硅片尺寸兼容性良好。 |
