一种硅压阻式压力传感器芯片
基本信息
| 申请号 | CN201310375752.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104425485B | 公开（公告）日 | 2017-03-15 |
| 申请公布号 | CN104425485B | 申请公布日 | 2017-03-15 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹钢;李凡亮;刘胜;付兴铭 | 申请（专利权）人 | 无锡慧思顿科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 李平 |
| 地址 | 430075 湖北省武汉市东湖开发区光谷创业街7栋14楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种硅压阻式压力传感器芯片,包括:硅压阻式压力传感器基本体、隔离层、增稳层、金属层、接触孔、硅衬底重掺杂区，其特征在于所述硅压阻式压力传感器由SOI硅片制作，在压敏电阻下方埋有二氧化硅层，隔离层覆盖在硅压阻式压力传感器基本体上，隔离层上刻蚀有接触孔，孔内充有金属，该金属与硅衬底重掺杂区进行欧姆接触并与芯片表面的金属层相连，增稳层设置在隔离层上，增稳层与接触孔内的金属经金属层实现电气连接，金属层上形成芯片的最高电位点，即传感器的供电焊盘。本发明的优点是在于未大幅改动传统硅压阻式压力传感器芯片的结构前提下，只需稍微改变一下硅压阻式压力传感器芯片的结构，增加少量工艺步骤就可以显著提升其输出稳定性。 |
