一种氚同位素电池制成方法
基本信息
| 申请号 | CN201911166127.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112837840A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112837840A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | G21H1/06;G21H1/12 | 分类 | 核物理；核工程; |
| 发明人 | 杨晓军 | 申请（专利权）人 | 深圳鼎邦能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市硕法知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王久明 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道009号中国科技开发院中科研发园3号楼2楼北裙楼202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氚同位素电池制成方法，包括如下步骤：S1，将不饱和有机化合物和氚在加氢催化剂作用下制成固体的氚代有机化合物；S2，将S1中制得的固体氚代有机化合物制成粉状并与荧光粉在溶剂中分别单独调和或混合调和制成待涂布的浆料；S3，将S2中制得的浆料涂布在光伏半导体薄膜上制成氚同位素电池芯；S4，将S3中制成的氚同位素电池芯密封封装形成氚同位素电池。该发明将吸附了氚的物质和荧光粉混合在一起，减小了氚发射的β电子射到发光物质的距离，增强了发光物质周边的β电子密度，提高了发光物质对高能带电粒子的能量吸收，提高了发光效率进而提高了光电的转换效率。 |
