碳化硅晶体的生长装置及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202010322798.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111621851B | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN111621851B | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐良;杨新鹏;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春;占俊杰 | 申请（专利权）人 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 佟林松 |
| 地址 | 321000浙江省金华市南二环西路2688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅晶体的生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚组件、籽晶固定器、气体系统和温控系统，所述坩埚组件包括坩埚体、石墨隔板和坩埚盖，所述石墨隔板设置在坩埚体上部，并且石墨隔板上具有通气孔结构，所述坩埚盖盖设在坩埚体上以构成坩埚内部容纳腔；所述籽晶固定器设置在坩埚盖内侧，且位于石墨隔板上方；所述气体系统包括进气管路和排气管路；所述进气管路与设置在坩埚体上的进气口连接，所述进气口位于石墨隔板下方；所述排气管路与设置在坩埚盖上的排气口连接；所述温控系统用于控制对所述坩埚组件加热。通过石墨隔板对向上升华的气相物进行整流，降低生产成本的同时提升晶体的合格率及品质。 |
