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碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭

基本信息

申请号 CN202011511534.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112725886A 公开（公告）日 2021-04-30
申请公布号 CN112725886A 申请公布日 2021-04-30
分类号 C30B23/00;C30B29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 徐良;曹力力;蓝文安;刘建哲;余雅俊;郭炜;李京波;夏建白 申请（专利权）人 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
代理机构 北京辰权知识产权代理有限公司 代理人 金铭
地址 321000 浙江省金华市南二环西路2688号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭，该碳化硅晶体生长装置包括石墨坩埚和加热装置，石墨坩埚包括呈上大下小圆台状的坩埚本体，所述坩埚本体包括具有开口的容纳腔；所述加热装置可上下移动的设置在所述坩埚本体外部。该碳化硅晶体生长装置采用外形呈上大下小圆台状的石墨坩埚，相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场，有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭，同时更加节约碳化硅晶体生长原料，而且加热装置可以相对于坩埚上下移动，能够进一步有利于晶锭长度的增加。