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一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110105602.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112951907A 公开（公告）日 2021-06-11
申请公布号 CN112951907A 申请公布日 2021-06-11
分类号 H01L29/739;H01L29/423;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 李钊君;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜;弓小武 申请（专利权）人 陕西半导体先导技术中心有限公司
代理机构 西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 胡思棉
地址 710000 陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
法律状态 -

摘要

摘要 一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及制备方法，包括N‑漂移区，位于N‑漂移区上面的Pbody、N+源区、P+接触区，沟槽栅自Pbody区垂直深入至N‑漂移区，在N‑漂移区背面形成有P+集电区；在所述Pbody区与N‑漂移区接触面间引入有一层N型薄层空穴势垒层；所述N型薄层空穴势垒层的掺杂浓度高于N‑漂移区的掺杂浓度且低于Pbody区掺杂浓度。本发明通过N型薄层空穴势垒层的引入可以阻止集电极P+区内的空穴进入Pbody区，因而大量的空穴储存在N‑漂移区内，增大了漂移区的非平衡载流子浓度，导致器件正向导通时N‑漂移区电阻Rdrift降低，从而降低器件导通电阻。