一种可降低导通电阻并增加安全工作区的功率半导体器件制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010271995.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111463132A | 公开（公告）日 | 2020-07-28 |
| 申请公布号 | CN111463132A | 申请公布日 | 2020-07-28 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张弦;弓小武;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜 | 申请（专利权）人 | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 代理机构 | 西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 地址 | 710000陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种可降低导通电阻并增加安全工作区的功率半导体器件制备方法，步骤如下：在由N缓冲层和N漂移区组成的N型半导体基片上通过离子注入制作N+补偿注入区域；2)在N漂移区表面制作栅电极；3)用自对准工艺，以栅电极为掩蔽层，在N+补偿注入区域表面进行P+离子注入并将其扩散至N+补偿注入区域下方，形成P‑body区、P+埋层、N+掺杂区；再依据常规工艺制作N+源区、P+接触层、金属电极及金属引线。其优点在于只增加一个光刻版及一次补偿注入、推进工艺，同时引入P+埋层及N+掺杂区。同时增大器件的安全工作区，降低Racc区域电阻和总的导通电阻。 |
