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一种具有低相对介电常数埋层的纵向高压功率半导体器件结构

基本信息

申请号 CN202010398404.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111554748A 公开（公告）日 2020-08-18
申请公布号 CN111554748A 申请公布日 2020-08-18
分类号 H01L29/78(2006.01)I 分类 -
发明人 张弦;弓小武;田力;何晓宁;陈晓炜;田鸿昌 申请（专利权）人 陕西半导体先导技术中心有限公司
代理机构 西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 陕西半导体先导技术中心有限公司
地址 710077陕西省西安市雁塔区丈八四路20号神州数码科技园5幢16层
法律状态 -

摘要

摘要 一种具有低相对介电常数埋层的纵向高压功率半导体器件结构，包括N漂移区、P基区及N+源区，在P基区及N+源区的外围的沟槽内沉积有栅极氧化层，在栅极氧化层上沉积有栅极导电介质层，其特征在于在所述栅极氧化层下面的N+漂移区内增加有绝缘层；所述绝缘层材质为相对介电常数小于栅极氧化层的绝缘材料；所述器件材料为Si、SiC或GaN。通过在沟槽下面增加一定厚度的绝缘层，可以调整栅漏之间的电场分布，从而改变器件内部区域的电场分布，也改善了器件耐压，此时器件内的电场分布不再仅受限于材料的掺杂浓度。