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一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构

基本信息

申请号 CN202010271966.4 申请日 -
公开（公告）号 CN111463271A 公开（公告）日 2020-07-28
申请公布号 CN111463271A 申请公布日 2020-07-28
分类号 H01L29/739(2006.01)I 分类 -
发明人 弓小武;张弦;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜 申请（专利权）人 陕西半导体先导技术中心有限公司
代理机构 西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 陕西半导体先导技术中心有限公司
地址 710000陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
法律状态 -

摘要

摘要 一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，包括N漂移区，在N漂移区内设置的P‑body区，在P‑body区内的表面设置有P+接触层，在P‑body区内P+接触层外围设置有N+源区，其特征在于在P+接触层下方的P‑body区内设置有收集杂散电流的P+埋层；在P‑body区外围的N漂移区表面设置有N+掺杂区；P+埋层的浓度要求比所在区域的P‑body掺杂浓度要高1‑5个量级；N+掺杂区的浓度应低于P‑body区的浓度，且高于N漂移区的浓度。其优点在于可降低导通电阻，增加器件工作安全区。