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便于结温检测的功率半导体器件及其结温测量方法

基本信息

申请号 CN202110126966.X 申请日 -
公开（公告）号 CN112946450A 公开（公告）日 2021-06-11
申请公布号 CN112946450A 申请公布日 2021-06-11
分类号 G01R31/26;H01L23/34 分类 测量；测试;
发明人 田鸿昌;张弦;何晓宁;陈晓炜 申请（专利权）人 陕西半导体先导技术中心有限公司
代理机构 西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 胡思棉
地址 710000 陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
法律状态 -

摘要

摘要 一种便于结温检测的功率半导体器件及其结温检测方法，所述功率半导体器件为IGBT器件或MOSFET器件，所述半导体器件包括至少两个单胞单元，其中至少一个单胞单元为结温监测单元，其他单胞单元与IGBT器件或MOSFET器件的结构完全相同；所述结温监测单元与IGBT器件或MOSFET器件的结构区别在于在P+接触区的表面金属化形成阳极，在N+源区表面金属化形成阴极。将结温监测单元直接制造集成在功率半导体芯片中，能够实时直接测量获得功率半导体器件结温数值，获得实时准确数值。