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一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件

基本信息

申请号	CN201920793260.7	申请日	-
公开（公告）号	CN210379054U	公开（公告）日	2020-04-21
申请公布号	CN210379054U	申请公布日	2020-04-21
分类号	H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78	分类	基本电气元件;
发明人	宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超	申请（专利权）人	陕西半导体先导技术中心有限公司
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陕西半导体先导技术中心有限公司
地址	710000 陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，位于所述栅介质层的两侧；掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。本实用新型的这种MOSFET器件，通过槽栅底部的P+型掩蔽层，改变了栅介质层拐角处的电场分布，降低了器件拐角处的电场集中，提高了器件的击穿电压，提高器件的可靠性。