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一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件

基本信息

申请号 CN201920793325.8 申请日 -
公开（公告）号 CN209981224U 公开（公告）日 2020-01-21
申请公布号 CN209981224U 申请公布日 2020-01-21
分类号 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超 申请（专利权）人 陕西半导体先导技术中心有限公司
代理机构 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 陕西半导体先导技术中心有限公司
地址 710000 陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区，其中，所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部，所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面；所述槽栅结构底部的拐角处设置有掩蔽层结构，所述掩蔽层结构对所述槽栅结构底部的拐角呈包裹状，且未与所述P型基区的下表面接触；所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极；所述槽栅结构上设置有栅电极。本实用新型的碳化硅MOSFET器件，在槽栅结构底部设置了掩蔽层结构，提高了器件的击穿电压。