一种提高半导体器件台面耐压结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011603186.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112635550A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112635550A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张弦;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜 | 申请（专利权）人 | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 代理机构 | 西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 胡思棉 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市雁塔区丈八四路20号神州数码科技园5幢16层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高半导体器件台面耐压结构及制备方法，包括形成PN结的至少一个P区和一个N区；在P区和N区的侧面为台面区域，在所述台面区域沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层局部区域上沉积有一层高介电常数材料层，在所述高介电常数材料层和绝缘层上设置有保护层；所述高介电常数材料层覆盖台面处电场峰值区域。本发明的有益效果：首先，可以有效改善台面区的电场分布，降低台面区的电场峰值；其次，引入高介电常数层，可以弥补台面磨角工艺误差引入的不利影响，保证器件的成品率，提升器件可靠性。 |
