一种内嵌碳量子点的g-C3N复合材料及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN201811556758.8 申请日 -
公开(公告)号 CN109554176A 公开(公告)日 2019-04-02
申请公布号 CN109554176A 申请公布日 2019-04-02
分类号 C09K11/65(2006.01)I; B01J27/24(2006.01)I; C01B3/04(2006.01)I 分类 一般的物理或化学的方法或装置;
发明人 江俊; 罗毅; 王翕君; 李鑫; 谢李燕; 杨丽 申请(专利权)人 合肥机数量子科技有限公司
代理机构 合肥超通知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 合肥机数科技有限公司
地址 230000 安徽省合肥市金寨路96号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于复合材料领域,尤其涉及一种内嵌碳量子点的g‑C3N复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的内嵌碳量子点的g‑C3N复合材料包括单层二维材料g‑C3N和通过范德华力结合到所述单层二维材料g‑C3N一侧的碳量子点。本发明提供的复合材料在太阳能的紫外、可见及部分近红外光范围内具有良好的光吸收能力,可高效的收集太阳能量,因此该复合材料适用于光催化领域。另一方面,利用g‑C3N高效的选择穿透性,本发明提供的复合材料允许质子穿透g‑C3N参与反应产生氢气,而产生的氢气不能穿透g‑C3N逃逸,同时g‑C3N阻隔了OH和O2等进入体系,抑制了逆反应发生,可实现氢气的有效提纯和安全存储,因此该复合材料也适用于储氢领域。