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一种内嵌碳量子点的g-C

基本信息

申请号	CN201811556758.8	申请日	-
公开（公告）号	CN109554176B	公开（公告）日	2021-08-06
申请公布号	CN109554176B	申请公布日	2021-08-06
分类号	B01J27/24（2006.01）I;C01B3/04（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I	分类	一般的物理或化学的方法或装置;
发明人	江俊;罗毅;王翕君;李鑫;谢李燕;杨丽	申请（专利权）人	合肥机数量子科技有限公司
代理机构	合肥超通知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	龚存云
地址	230000安徽省合肥市金寨路96号
法律状态	-

摘要

本发明属于复合材料领域，尤其涉及一种内嵌碳量子点的g‑C3N复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的内嵌碳量子点的g‑C3N复合材料包括单层二维材料g‑C3N和通过范德华力结合到所述单层二维材料g‑C3N一侧的碳量子点。本发明提供的复合材料在太阳能的紫外、可见及部分近红外光范围内具有良好的光吸收能力，可高效的收集太阳能量，因此该复合材料适用于光催化领域。另一方面，利用g‑C3N高效的选择穿透性，本发明提供的复合材料允许质子穿透g‑C3N参与反应产生氢气，而产生的氢气不能穿透g‑C3N逃逸，同时g‑C3N阻隔了OH和O2等进入体系，抑制了逆反应发生，可实现氢气的有效提纯和安全存储，因此该复合材料也适用于储氢领域。