一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置及方法
基本信息
申请号 | CN201811573846.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109355621A | 公开(公告)日 | 2019-02-19 |
申请公布号 | CN109355621A | 申请公布日 | 2019-02-19 |
分类号 | C23C14/04;C23C14/28;C23C14/50;C23C14/54 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 张晓军 | 申请(专利权)人 | 深圳市矩阵新材料科技有限公司 |
代理机构 | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 陈志超;闫慧丹 |
地址 | 518057 广东省深圳市南山区西丽街道朗山路28号通产新材料产业园2栋1楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种配比可控的大面积高通量复合薄膜合成装置和方法,其中,所述合成装置中设置了可移动的基片架,并在基片架和靶材之间设置了用于遮挡掩膜部分区域的挡板,在合成薄膜的过程中,利用挡板掩盖部分掩膜孔并移动基片架,调整基片架与靶材的相对位置和移动速度,从而调整辉羽中心在每个掩膜孔中停留的时间,不仅可以控制每个掩膜孔对应复合薄膜样品的厚度,克服了高通量PLD镀膜不均匀的缺陷,还可以通过控制每个掩膜孔在沉积不同材料时,辉羽中心停留的时间比,调整每个掩膜孔对应的基片样品中沉积的不同材料之间的配比,从而实现配比可控。 |
