一种单晶硅片绒面的制备方法

基本信息

申请号 CN201710510694.7 申请日 -
公开(公告)号 CN107217307B 公开(公告)日 2019-11-08
申请公布号 CN107217307B 申请公布日 2019-11-08
分类号 C30B33/10(2006.01)I; C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈刚; 陈春 申请(专利权)人 常州市瑞泰物资有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 225300 江苏省泰州市泰兴高新技术产业开发区人才科技广场
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种单晶硅片绒面的制备方法,属于光电技术领域。本发明先将单晶硅片进行表面清洗,清洗后在绒面处理剂1中进行浸泡,再在绒面处理剂2中进行腐蚀浸泡,进行第一次化学腐蚀制绒处理,再将第一次制绒后的硅片放入培养基中,利用微生物在单晶硅片表面沉积纳米粒子,从而进一步提高形成凹凸不平的孔洞状表面形态,得到具有良好光陷阱作用和减反射效果的多晶硅绒面,提高单晶硅太阳电池的光电转换效率,并且这种绒面结构的形成,可以大幅度增加硅片的表面积,有利于对太阳光的充分吸收。