具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法

基本信息

申请号	CN201610472516.5	申请日	-
公开（公告）号	CN106025020B	公开（公告）日	2019-01-11
申请公布号	CN106025020B	申请公布日	2019-01-11
分类号	H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	汤英文	申请（专利权）人	江苏达安光电有限公司
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司	代理人	闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
地址	363000 福建省漳州市芗城区县前直街36号
法律状态	-

摘要

本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。