一种半导体图形衬底的制造及外延的方法
基本信息
| 申请号 | CN201710890136.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107731660A | 公开（公告）日 | 2018-02-23 |
| 申请公布号 | CN107731660A | 申请公布日 | 2018-02-23 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汤英文 | 申请（专利权）人 | 江苏达安光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谈杰 |
| 地址 | 363000 福建省漳州市芗城区县前直街36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体领域，公开了一种半导体图形衬底的制造及外延的方法，通过将蓝宝石等衬底生长一层氧化锌ZnO；然后制作成蒙古包一样的ZnO图形，露出蓝宝石；然后用物理气相沉积PVD等物理方法生长AlN保护层；通过高温氢气或氨气把保护层下的ZnO反应掉或部分反应掉，留下来的AlN为中空的蒙古包。本发明大大缓冲了AlGaInN与蓝宝石之间的热应力，这样就减少了蓝宝石与AlGaInN之间的膨胀系数差异引起的应力，可以大大减少AlGaInN的位错从而提高晶体质量，可以代替GaN单晶衬底，达到降低芯片制造成本,有利于AlGaInN基LED、电子及微波器件的民用。 |
