首页/ 江苏达安光电有限公司/ 专利详情

一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法

基本信息

申请号 CN201710890140.4 申请日 -
公开（公告）号 CN107680901B 公开（公告）日 2018-02-09
申请公布号 CN107680901B 申请公布日 2018-02-09
分类号 H01L21/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I 分类 -
发明人 汤英文 申请（专利权）人 江苏达安光电有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
地址 363000福建省漳州市芗城区县前直街36号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体领域，公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法，取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片，每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝，然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合，将两片硅片键合在一起；在键合的过程中部分铝和硅形成合金，硅片之间也会残留铝层，铝层厚度小于或等于0.5微米；将键合在一起两片硅片的一片进行减薄抛光到1微米‑10微米的厚度制成柔性衬底；柔性衬底的薄硅片一面向上,外延生长半导体薄膜材料。本发明通过将硅衬底制作成柔性衬底从而减少硅与半导体薄膜之间的热适配，这样就减少了硅与半导体薄膜之间的膨胀系数差异引起的应力。