半导体芯片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610897956.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106373869A | 公开（公告）日 | 2017-02-01 |
| 申请公布号 | CN106373869A | 申请公布日 | 2017-02-01 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汤英文 | 申请（专利权）人 | 江苏达安光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 闽南师范大学;江苏达安光电有限公司 |
| 地址 | 363000 福建省漳州市芗城区县前直街36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，去掉光刻胶，清洗，依次形成反射欧姆接触层、阻挡保护层，键合层，得到结构II；将结构II的键合层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，得到成品。本发明降低了与外延衬底的晶格及热应力失配大的半导体薄膜在其上生长难度，简化芯片制造过程,降低芯片制造成本。 |
