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一种短波紫外发光芯片的制造方法

基本信息

申请号	CN201711172867.5	申请日	-
公开（公告）号	CN107910415A	公开（公告）日	2018-04-13
申请公布号	CN107910415A	申请公布日	2018-04-13
分类号	H01L33/00;H01L33/20	分类	基本电气元件;
发明人	汤英文	申请（专利权）人	江苏达安光电有限公司
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司	代理人	闽南师范大学;江苏达安光电有限公司
地址	363000 福建省漳州市芗城区县前直街36号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种短波紫外发光芯片的制造方法，复合衬底包括：PSS及在PSS上生长的经过抛光处理的结晶层AlN，AlN抛光处理过程是将PSS上的不平整的AlN连同PSS的蒙古包尖端的蓝宝石被抛光成镜面，再在镜面用溅射等方法生长一层AlN；将生长在复合衬底上的紫外LED器件结构的半导体薄膜进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，刻蚀到本征层AlGaInN或者刻蚀到衬底，在芯片图形上刻蚀形成若干N电极孔，在P型层上形成具有反射作用又起欧姆接触的P电极金属、在N电极孔形成N电极，在P电极反射欧姆接触层上形成阻挡保护层，生长绝缘层，然后光刻后腐蚀绝缘层开孔，加厚N电极和P电极得到倒装结构芯片；本发明的有益效果是提高材料的晶体质量，又可以提高出光效率。