一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法
基本信息
| 申请号 | CN201711001865.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109694254A | 公开（公告）日 | 2019-04-30 |
| 申请公布号 | CN109694254A | 申请公布日 | 2019-04-30 |
| 分类号 | C04B35/584（2006.01）I; C04B35/622（2006.01）I; C04B35/64（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 张景贤; 段于森; 李晓光 | 申请（专利权）人 | 浙江多面体新材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;浙江多面体新材料有限公司 |
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到混合粉体，所述烧结助剂为MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5中的一种；将所得的混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于烧结炉中在1600～1800℃的温度条件下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。该烧结助剂有利于获得更加均匀的显微结构，使得TiN弥散分布在氮化硅基体中，从而进一步提高了材料的力学性能。 |
