一种低温液相烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法
基本信息
| 申请号 | CN201611139396.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108610055B | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN108610055B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | C04B35/584（2006.01）I;C04B35/64（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 张景贤;段于森;李晓光;何永钦 | 申请（专利权）人 | 浙江多面体新材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址 | 313023浙江省湖州市吴兴区埭溪镇上强工业功能区创强路2号1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低温液相烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体98～85 wt%、烧结助剂2～15 wt%均匀混合，再经过干燥、过筛得到陶瓷混合粉体，所述烧结助剂包括Ti（CxN1‑x）以及选自CaO、Al2O3、和MgO中的至少一种，x为0.2～0.7，所述烧结助剂中Ti（CxN1‑x）的含量为20～60 wt%；将所得陶瓷混合粉压制成型，得到陶瓷素坯；将所得陶瓷素坯在1600～1800℃下低温液相烧结1～8小时，得到所述致密氮化硅陶瓷。本发明引入的复合烧结助剂具有较低的低共熔点温度，能够实现低温烧结，并以Ti（CxN1‑x）为第二相提高材料的力学性能。 |
