单原子锑修饰和氮、氧共掺杂的多孔碳片复合材料
基本信息
| 申请号 | CN202210424739.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695857A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695857A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/587（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张桥保;肖本胜;陈慧鑫 | 申请（专利权）人 | 厦门大学 |
| 代理机构 | 北京庚致知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 361005福建省厦门市思明区思明南路422号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供一种单原子锑修饰和氮、氧共掺杂的多孔碳片复合材料，包括：多孔碳片基质材料，多孔碳片基质材料包括多个多孔碳片以形成层状材料，各个多孔碳片之间紧密连接；以及单原子锑修饰和氮、氧共掺杂结构，单原子锑与氮、氧原子形成氧锑氮（O‑Sb‑N）键，并结合于多孔碳片基质材料之中，以形成单原子锑和氮、氧共掺杂结构。本公开还提供一种单原子锑修饰和氮、氧共掺杂的多孔碳片复合材料的制备方法、电池负极材料及电池。 |
