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一种晶体硅太阳能电池的制造方法

基本信息

申请号	CN201510397471.5	申请日	-
公开（公告）号	CN104966761A	公开（公告）日	2017-04-05
申请公布号	CN104966761A	申请公布日	2017-04-05
分类号	H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	李运钧;尹天平;曾国平;杨墨熹;李昕	申请（专利权）人	四川银河星源科技有限公司
代理机构	北京远大卓悦知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	周庆佳
地址	622650 四川省绵阳市安县工业园区（花荄镇）
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制造方法，包括：将硅片清洗后进行表面处理得到凹凸的绒面；然后采用扩散法在硅片上形成PN结；接着对形成PN结的硅片周边刻蚀去除多余扩散层，然后在硅片正面和背面分别沉积膜体，并用刻蚀方法刻蚀掉局部膜体，使膜体上形成均匀的露出硅片的点状或条状结构；最后在硅片正面和背面分别印刷正面导电浆料和背面导电浆料；然后烧结得到太阳能电池。本发明在太阳能电池的膜体上采用刻蚀方法，刻蚀掉局部膜体，然后在局部刻蚀的膜体上印刷非烧穿导电浆料，实现局部金属与硅直接电接触，而保留尽量多的膜体在导电浆料高温烧结时不被破坏，可增加太阳能电池的开路电压，减小接触电阻，从而提高太阳能电池的转换效率。