一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201410505205.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104241352A | 公开（公告）日 | 2014-12-24 |
| 申请公布号 | CN104241352A | 申请公布日 | 2014-12-24 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张连;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人 | 丽水中科半导体材料研究中心有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;丽水中科半导体材料研究中心有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延生长在高阻层上；势垒层外延生长在沟道层上。本发明通过极化诱导掺杂实现无掺杂杂质的高阻层，从而降低器件缓冲层漏电，缓解由于缓冲层掺杂而加剧的电流崩塌，实现提高器件击穿电压、改善器件动态导通电阻可靠性的目的。 |
