降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201510309494.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104900689B | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN104900689B | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01L29/737（2006.01）I; H01L29/10（2006.01）I; H01L29/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张连; 张韵; 王军喜; 李晋闽 | 申请（专利权）人 | 丽水中科半导体材料研究中心有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;丽水中科半导体材料研究中心有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。 |
