首页/ 上海东软载波微电子有限公司/ 专利详情

上下电测试系统

基本信息

申请号 CN202023302887.X 申请日 -
公开（公告）号 CN214041597U 公开（公告）日 2021-08-24
申请公布号 CN214041597U 申请公布日 2021-08-24
分类号 G01R31/00（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 张有为;赵启山;陈光胜 申请（专利权）人 上海东软载波微电子有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 李耀霞;陆磊
地址 200235上海市徐汇区龙漕路299号天华信息科技园2A楼5层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种上下电测试系统。该上下电测试系统包括：微控制单元，适于接收用于待测芯片上下电测试的电压策略并基于电压策略生成相应的控制信号；上下电控制电路，包括栅极驱动器和晶体管，栅极驱动器适于接收控制信号并基于控制信号生成相应的驱动信号，晶体管的栅极适于接收驱动信号并基于驱动信号导通或关闭晶体管，晶体管的漏极适于接收用于待测芯片上下电测试的测试电压，NMOS晶体管的源极通过电阻接地并在NMOS晶体管导通时具有测试电压以输出至待测芯片。通过该上下电测试系统，可以基于待测芯片的具体应用环境设定相应的电压策略，还可以保证待测芯片能够在预设的电压策略下进行上下电测试，尤其是进行快速上下电测试。