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用于功率MOS管的过流检测和保护电路、以及功率MOS管组件

基本信息

申请号 CN202011568334.0 申请日 -
公开（公告）号 CN112701663A 公开（公告）日 2021-04-23
申请公布号 CN112701663A 申请公布日 2021-04-23
分类号 H02H7/20;H02H3/08;H02H1/00 分类 发电、变电或配电;
发明人 夏钊;张旭;陈光胜 申请（专利权）人 上海东软载波微电子有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 陆磊
地址 200235 上海市徐汇区龙漕路299号天华信息科技园2A楼5层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供一种用于功率MOS管的过流检测和保护电路、以及功率MOS管组件。过流检测和保护电路包括电流采样模块和栅极控制模块，电流采样模块适于采样流过功率MOS管源极的电流；栅极控制模块的输入端耦接功率MOS管的源极、输出端耦接功率MOS管的栅极而向功率MOS管提供栅极驱动电压，以使得电流不超过其电流阈值。使得流过功率MOS管的电流不会出现过流，且精确地计算出电流阈值而不存在电流阈值的偏差，从而可以避免由于该偏差所导致的对功率MOS管的提前保护或者保护失效。