反符合超低本底HPGeγ谱仪
基本信息
| 申请号 | CN201711340633.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108287362B | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN108287362B | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | G01T1/36 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 常军林 | 申请（专利权）人 | 卡迪诺科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭栋梁 |
| 地址 | 101500 北京市密云区经济开发区科技路乙12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种反符合超低本底HPGeγ谱仪，包括样品室和杜瓦瓶，样品室设置有封闭空腔，杜瓦瓶的瓶口插接有冷指，冷指穿过封闭空腔底部延伸至封闭空腔内，冷指位于封闭空腔内部的一端固定连接有HPGe探测器，样品室从外到内依次设置有外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层，外铅层、塑闪层、镉片层、内铅层和铜层均设置有封闭内腔，于消除建筑材料中的天然放射性核素和次级宇宙射线软成分对塑料闪烁探测器计数率和谱仪本底的影响，能够解决测试过程中本底干扰大、测量准确度低的问题。 |
