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一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路

基本信息

申请号	CN202023339348.3	申请日	-
公开（公告）号	CN213814438U	公开（公告）日	2021-07-27
申请公布号	CN213814438U	申请公布日	2021-07-27
分类号	G05F1/56（2006.01）	分类	控制；调节;
发明人	宋利军;邹亮	申请（专利权）人	英彼森半导体（上海）有限公司
代理机构	北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	符继超
地址	200000 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，包括：第一启动电路、第二启动电路和核心电路；第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；M1的源极、M2的源极以及M3的漏极均接入电源；M1的栅极、M2的栅极和M3的源极彼此连接，并与R1串联后接地；M1的漏极、M2的漏极和M3的栅极均与核心电路连接；第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1；U1的同相输入端分别与M4的漏极和J1的发射极连接；J1的基极和集电极连接后接地；U1的反相输入端与核心电路连接，输出端与M5的栅极连接；M5的源极接地，漏极与M4的栅极连接；M4的源极接入电源。本实用新型可以工作在1V甚至更低的工作电压场景下。