一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910831084.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110690315A | 公开（公告）日 | 2020-01-14 |
| 申请公布号 | CN110690315A | 申请公布日 | 2020-01-14 |
| 分类号 | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 慕飒米;张少先;刘永;杜明;李侠 | 申请（专利权）人 | 苏州枫桥光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州枫桥光电科技有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区向街8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种硫化钼‑石墨烯异质结光电导探测器及其异质结的制备方法，包括异质结，所述异质结包括设置在SiO2/Si衬底层上的MoS2层，所述MoS2层上设置有石墨烯层，所述石墨烯层上设置有若干个金属电极。本发明提供了一种具有低成本、高响应度的二维材料异质结负光电导探测器及其制备方法；通过采用二维材料转移技术，减少石墨烯/TMDC异质结界面层杂质问题，提高石墨烯/TMDC光导型探测器的光电特性。 |
