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一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法

基本信息

申请号 CN201610165551.2 申请日 -
公开（公告）号 CN105789128A 公开（公告）日 2016-07-20
申请公布号 CN105789128A 申请公布日 2016-07-20
分类号 H01L21/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杜志民;王一宇;郭立洲;李妍 申请（专利权）人 新乡市新东开发建设投资有限公司
代理机构 新乡市平原专利有限责任公司 代理人 河南芯睿电子科技有限公司
地址 453003 河南省新乡市科隆大道与新儒街交叉口东南角
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法，具体步骤为：将厚度为100?250μm的修刀用晶圆片的正面贴上两层半导体用的保护膜，划片刀修刀时沿着晶圆片的解理面进行划片，采用阶梯升速式进刀速度进行修刀，具体为进刀速度从5mm/s升至40mm/s的过程中，每修30?50刀提升进刀速度5mm/s，直至进刀速度达到40mm/s并保持至完成修刀。本发明通过调整划片刀修刀工艺，实现了降低产品崩边和裂芯的问题，并且将划片刀的修刀时间大大降低，生产效率和质量均得到大幅提升，同时降低企业生产成本和风险，增加客户满意度。