一种选择性硅蚀刻液
基本信息
| 申请号 | CN201911242534.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111019659A | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN111019659A | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | C09K13/10 | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 李少平;郝晓斌;尹印;贺兆波;张庭;万杨阳;冯凯;王书萍;张演哲;蔡步林 | 申请（专利权）人 | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人 | 成钢 |
| 地址 | 443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种选择性硅蚀刻液及使用方法。所述选择性硅蚀刻液用于选择性去除p型硅基底上的未掺杂硅，组成包括硝酸（或硝酸与硝酸盐混合物）、亚硝酸盐、氢氟酸或氢氟酸盐、硅添加剂、硼添加剂及溶剂。该蚀刻液利用硝酸盐和亚硝酸盐将硅氧化成二氧化硅；利用氢氟酸将二氧化硅蚀刻去除；硅添加剂用以调节硅的蚀刻速率；硼添加剂抑制蚀刻液对p型硅的蚀刻，使蚀刻液对未掺杂硅相对于p型硅有更快的蚀刻速率。 |
