一种3D NAND结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液
基本信息
| 申请号 | CN202011395597.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112592777B | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN112592777B | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | C11D7/32;C11D7/08;C11D7/60;C07F7/10 | 分类 | 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛; |
| 发明人 | 冯凯;贺兆波;王书萍;张庭;尹印;万杨阳;钟昌东;李鑫;倪高国 | 申请（专利权）人 | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人 | 成钢 |
| 地址 | 443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种3DNAND结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液，该清洗液的主要成分包括占清洗液10‑40质量%硝酸、0.1‑0.5质量%氢氟酸、0.01‑0.5质量%氟硅改性仲胺类有机物，0.1‑5质量%醇胺类缓蚀剂，其余为水。该清洗液能将3DNAND结构片干法蚀刻的深沟槽深宽比80:1及以下的深沟槽侧壁聚合物残渣快速清洗干净。 |
