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一种高纯碲化镓多晶合成生产装置

基本信息

申请号 CN202110777597.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113481604A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113481604A 申请公布日 2021-10-08
分类号 C30B29/46（2006.01）I;C30B28/12（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 卢鹏荐;曾小龙;张林;范晨光;夏文俊;胡振权;范小志 申请（专利权）人 武汉拓材科技有限公司
代理机构 湖北天领艾匹律师事务所 代理人 王能德
地址 436000湖北省鄂州市葛店开发区光谷联合科技城C3-3栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高纯碲化镓多晶合成生产装置，具体涉及半导体材料制备技术领域，包括生产底座，所述生产底座上表面的四角处均固定连接有固定支架，且四个固定支架的相对面通过销轴分别与四个限位框架相远离的一面固定连接，且四个限位框架相对面的一端通过销轴与同一个石英帽的外表面活动连接，所述石英帽的下表面设置有密封圈。本发明通过设置限位框架、石英管、石英帽和滑轮，由于限位套固定在石英帽的表面，使得移动石英帽的过程中，石英帽不易出现脱落的情况，且工作人员可以方便的对石英帽进行安装和拆卸，使得工作人员无需反复切割更换石英帽以及石英管，保障了石英管和石英帽的使用寿命，进而提高了该生产装置的环保性。