SDNAND测试方法、装置、存储介质和终端

基本信息

申请号 CN202011589823.4 申请日 -
公开(公告)号 CN112542208B 公开(公告)日 2021-10-29
申请公布号 CN112542208B 申请公布日 2021-10-29
分类号 G11C29/56(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 唐维强;林晓新;孙兆兴 申请(专利权)人 芯天下技术股份有限公司
代理机构 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 陈志超;唐敏珊
地址 518000广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种SD NAND测试方法、装置、存储介质和终端,通过设置不同优先级的线程,根据线程对SD NAND FLASH进行读写校验,以实现对SD NAND FLASH的读写压力测试;因为每个线程包括固定数据,所以当SD NAND FLASH在校验过程中出现错误时,可以通过校验数据对错误的类型以及出错的地址进行精确定位,以解决传统使用第三方工具对SD NAND FLASH进行读写压力测试时出现的问题。