NorFlash存储器电路和NorFlash
基本信息
| 申请号 | CN202121458641.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215183105U | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN215183105U | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | G11C16/14（2006.01）I;G11C16/16（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 高益;蒋丁;王振彪;温靖康 | 申请（专利权）人 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 佛山市海融科创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄家豪 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种Nor Flash存储器电路和Nor Flash，先打开第一泄压管，由于第一泄压管导通电阻小，被选中执行擦除操作的存储单元所在阵列的全部存储单元的字线上的正电压能快速泄放到0；再切换第一选择开关和第二选择开关，切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在阵列的全部存储单元的字线上电压基本上与泄放剩余电压相等；在各个工艺角的情况下，保证设定时间小于擦除前检查状态读电压的建立等待时间，同时使切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线上的电压和泄放剩余电压尽量接近0，可有效减小未选中的存储单元读出漏电从而导致选中的存储单元的读出数据判定错误的风险。 |
