存储器的真实建模注错验证方法、装置、存储介质和终端
基本信息
| 申请号 | CN202011554832.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447256B | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN112447256B | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | G11C29/44（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张新展;陈胜源;朱雨萌;张宇 | 申请（专利权）人 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 佛山市海融科创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种存储器的真实建模注错验证方法、装置、存储介质和终端，通过使用Verilog代码对非易失存储器的memory cell进行建模，向操作指令注入错误退出次数，当memory cell模型执行操作次数达到错误退出次数时，即使memory cell模型没有成功执行该操作，memory cell模型还是需要退出当前操作；在对非易失存储器控制端的验证阶段，通过Verilog代码建立一个高度接近实际的memory cell模型，通过验证memory cell模型去模拟非易失存储器控制端的真实特性，能更加准确的验证控制端操作的准确性，而且自动检查修复操作结果则增强了验证的自动化程度。 |
