缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路
基本信息
| 申请号 | CN202011614047.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112489711B | 公开（公告）日 | 2021-11-12 |
| 申请公布号 | CN112489711B | 申请公布日 | 2021-11-12 |
| 分类号 | G11C16/30（2006.01）I;G11C5/14（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 南锺基;吴彤彤;刘梦 | 申请（专利权）人 | 芯天下技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 佛山市海融科创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种缓解芯片active模式启动瞬间驱动能力不足的电路，通过增加了一个第二电流LDO模块，第二电流LDO模块的驱动能力处于第三电流LDO模块驱动能力与第一电流LDO模块驱动能力之间；在flash芯片处于待机模式，即EN使能信号处于低电平水平时，只有第三电流LDO模块工作；当EN使能信号翻转为高电平时，第一电流基准模块建立时间比较慢，大约1us，但是第二电流LDO模块可以快速启动，因此在第一电流基准模块1us的建立时间内，可以由第二电流LDO模块提供一部分的电流，缓解在1us的空窗期内输出电压由于驱动能力不足会被下拉的问题。 |
