一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法
基本信息
| 申请号 | CN202110381030.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113388A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113388A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L23/544（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄文杰 | 申请（专利权）人 | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区凤里街166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法，其中晶圆再布线双重验证结构，包括：裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口。若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部。介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上。本发明的晶圆再布线双重结构能够实现在同一晶圆、一套制程上对不同形式的再布线模块进行功能验证。 |
